Компании Intel и Micron сообщили о том, что создали первую в мире флэш-память NAND ячеек емкостью 128 Гб, изготовленной по нормам 20-нанометрового технологического процесса.

По словам партнеров, ключом к использованию 20-нанометрового техпроцесса стало применение новой структуры ячейки памяти, позволившей уменьшить ее размеры. Имеется в виду, что использование впервые планарной структуры, с помощью которой удалось преодолеть сложности, связанные с переходом к более тонкому техпроцессу, получить высокие показатели производительности и удержать надежность на уровне, характерном для памяти, выпускаемой сейчас.

Разработчики уверяют, что у новинки в 2 раза увеличена емкость и производительность, по сравнению с предшественниками. На его основе можно создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

Серийное производство нового чипа начнется в первой половине следующего года, а первые устройства с ним появятся к 2013 году. IMFT также сообщила, что приступила массовому производству аналогичных модулей емкостью 64 Гб.